Исследователи из Института промышленной науки Токийского университета представили новый тип транзистора, созданного на основе оксида индия с добавлением галлия. Этот прорыв они представили на конференции 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (SVLSI).
Транзисторы являются ключевыми элементами в современной электронике, выполняя функции включения и выключения электрических сигналов, что обеспечивает работу смартфонов, компьютеров и даже автомобилей. До настоящего времени большая часть транзисторов производилась из кремния. Однако с уменьшением размеров устройств, использование кремния сталкивается с ограничениями, создавая трудности при создании более компактных и производительных чипов.
Исследователи предложили альтернативное решение, разработав транзистор на основе оксида индия с добавлением галлия. Этот материал способствует более быстрому движению электронов и повышает стабильность работы транзистора.
Экспериментальная конструкция включает в себя уникальное решение, при котором затвор, управляющий элемент, полностью окружает токовый канал. Такая конфигурация не только экономит место на микросхеме, но и повышает эффективность функционирования устройства.
Новый транзистор продемонстрировал высокую производительность: электроны перемещаются в нем быстрее, чем в большинстве аналогичных устройств. Он успешно функционировал под нагрузкой почти три часа, что является значительным достижением для новых технологий. Более того, данная конструкция обеспечивает возможность дальнейшего уменьшения размеров транзисторов, что особенно актуально для современных процессоров.
В перспективе подобные транзисторы могут заменить традиционные кремниевые аналоги, открывая путь к созданию более мощных и компактных устройств — от ноутбуков и смартфонов до суперкомпьютеров и роботов.
Ранее ученые впервые наблюдали процесс утраты информации в квантовых системах.